AZ 5214E 正/负可改变型光刻胶_lift-off胶_汶颢股份
SU8光刻胶
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    AZ 5214E 光刻胶

    • 型号AZ 5214E

    AZ 5214E 正/负可改变型光刻胶具有高解像度图形反转正/负可改变型光刻胶,特别为lift-off工艺优化

    1. 详细信息

    AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚。

    AZ光刻胶特点:

    1. 适用于高分辨率工艺(lift-off工艺)

    2. 适用于正/负图形

    3. 很宽的膜厚范围

    AZ光刻胶工艺条件:

    前烘:100℃ 60秒 (DHP)

    曝光:1线步进式曝光机/接触式曝光机

    反转烘烤:110~125℃ 90秒(DHP):去离子水30秒

    全面曝光:310~405nm(在曝光光源下全面照射)

    显影:AZ300MIF显影液 (2.38%) 23℃ 30~60秒 Puddle   

    AZ Developer(1:1)23℃ 60秒Dipping

    AZ 400K(1:4)23℃ 60秒Dipping

    清洗:去离子水30秒

    后烘:120℃ 120秒(DHP) 

    剥离:AZ剥离液及/或氧等离子体灰化

    AZ系列光刻胶 正胶进口 AZ 光刻胶系列参数及工艺说明

    AZ光刻胶刻蚀厚度从1μm到150μm以及更厚高感光度,高产出率;高附着性,特别为湿法刻蚀工艺改进;广泛应用于全球半导体行业。


    光刻胶产品型号及参数

    光刻胶名称型号匀胶厚度
    Merck AZ /负可转换型光刻胶AZ 52140.5-6um
    AZ 50XT 正胶AZ 50XT40-80um
    AZ 9260 正胶AZ 92606.2-15um
    AZ 4620 光刻胶AZ 462010-15um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 201513-38um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 205040-170um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 207560-240um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 2150190-650um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 30108-15um
    MicroChem SU-8 负胶SU-8 305044-100um

    AZ光刻胶其他参数及说明:

    AZ 5214E 正/负可改变型光刻胶价格、工艺、参数、优缺点及说明


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